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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-79 |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 130 Ω | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 3.3 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 6.06% |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HZC3.3-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZC3.6 | HITACHI |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC3.6 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC3.9 | HITACHI |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC3.9 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC30 | HITACHI |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC30 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC-3000 | DIALIGHT |
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SWING BRACKET MOUNT KIT |
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| HZC33 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZC33 | HITACHI |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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