5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ULTRA SMALL, UFP-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.63 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 最大电压容差： | 6.67% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HZC3.3 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC3.3 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC3.3-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HZC3.6 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC3.6 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC3.9 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC3.9 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC30 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC30 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
|
| HZC-3000 | DIALIGHT |
获取价格 |
SWING BRACKET MOUNT KIT |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
