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HZ6B3LTE

更新时间: 2023-02-26 14:40:35
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日立 - HITACHI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

HZ6B3LTE 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.58
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
工作测试电流:0.5 mABase Number Matches:1

HZ6B3LTE 数据手册

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