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HZ3B2RE-E

更新时间: 2024-11-12 20:39:19
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瑞萨 - RENESAS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

HZ3B2RE-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.41
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN COPPER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

HZ3B2RE-E 数据手册

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