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HZ12A1LTE

更新时间: 2024-02-01 03:31:48
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日立 - HITACHI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35

HZ12A1LTE 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.43
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:1 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:0.5 mA
Base Number Matches:1

HZ12A1LTE 数据手册

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