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HYS72T512920EFA-3S

更新时间: 2024-11-18 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
奇梦达 - QIMONDA 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1300K
描述
DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240

HYS72T512920EFA-3S 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST其他特性:AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N240
内存密度:38654705664 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:240
字数:536870912 words字数代码:512000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:512MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM240,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.5,1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:6.95 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HYS72T512920EFA-3S 数据手册

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August 2008  
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HYS72T256921EFA–3S  
HYS72T512[84/92]0EFA–3S  
240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules  
DDR2 SDRAM  
EU RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.20  

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