5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM240,40 | 针数： | 240 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDMA-N240 |
| JESD-609代码： | e4 | 内存密度： | 38654705664 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 72 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 240 |
| 字数： | 536870912 words | 字数代码： | 512000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 95 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM240,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.5,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Gold (Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYS72T512820EFA-25FC2 | QIMONDA |
获取价格 |
512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240, GREEN, DIMM-240 |
|
| HYS72T512840EFA-25FC2 | QIMONDA |
获取价格 |
512M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240, GREEN, DIMM-240 |
|
| HYS72T512840EFA-25F-C2 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
| HYS72T512840EFA-3S-C2 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
| HYS72T512920EFA-3S | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
| HYS72T512920EFA-3S-C2 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
| HYS72T64000EP-3.7-B2 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.3ns, CMOS, GREEN, RDIMM-240 |
|
| HYS72T64000EP-3S-B2 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.24ns, CMOS, GREEN, RDIMM-240 |
|
| HYS72T64000EU-2.5-B2 | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin unbuffered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T64000EU-25F-B2 | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin unbuffered DDR2 SDRAM Modules |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
