5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM240,40 |
| 针数： | 240 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N240 |
| 内存密度： | 2415919104 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 240 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 65 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM240,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.05 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.31 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYS72T32000HU-3S-A | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T32000HU-5-A | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T512020HR | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Registered-DDR2-SDRAM Modules |
|
| HYS72T512020HR-3.7-A | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Registered-DDR2-SDRAM Modules |
|
| HYS72T512020HR-5-A | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Registered-DDR2-SDRAM Modules |
|
| HYS72T512022EP | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Dual Die Registered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T512022EP-3.7-B | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Dual Die Registered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T512022EP-3S-B | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Dual Die Registered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T512022ER | QIMONDA |
获取价格 |
240-Pin Dual Die Registered DDR2 SDRAM Modules |
|
| HYS72T512022ER-3S-B | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, 0.45ns, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
