生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM-168 | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.61 |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 8 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 168 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYS64V8220GU-8 | INFINEON |
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3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module | |
HYS64V8220GU-8B | INFINEON |
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3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module | |
HYS64V8300GU-8 | INFINEON |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
HYS64V8300GU-8-C | INFINEON |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
HYS64V8301GU-7.5-C | ETC |
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x64 SDRAM Module | |
HYS64V8301GU-7.5-C2 | ETC |
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x64 SDRAM Module | |
HYS64V8301GU-7-C2 | ETC |
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SDRAM|8MX64|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC | |
HYS64V8301GU-8-C | ETC |
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x64 SDRAM Module | |
HYS64V8301GU-8-C2 | ETC |
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x64 SDRAM Module | |
HYS72D128020GR-7-A | INFINEON |
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2.5 V 184-pin Registered DDR-I SDRAM Modules |