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HYS64V8220GU-10

更新时间: 2024-11-10 22:07:31
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英飞凌 - INFINEON 动态存储器
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15页 78K
描述
3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module

HYS64V8220GU-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM-168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.61
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:8 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:2
端子数量:168字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HYS64V8220GU-10 数据手册

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3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module  
3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module  
HYS64(72)V4200GU  
HYS64(72)V8220GU  
PC66 & PC100 168 pin unbuffered DIMM Modules  
168 Pin unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules  
for PC main memory applications  
One bank 4M x 64, 4Mx72 and two bank 8M x 64, 8M x 72 organisation  
Optimized for byte-write non-parity and ECC applications  
JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)  
Fully PC board layout compatible to INTEL’s Rev. 1.0 module specification  
SDRAM Performance:  
-8  
-8B  
100  
-10  
66  
Units  
MHz  
fCK  
tAC  
Clock frequency (max.)  
Clock access time  
100  
6
6
8
ns  
Programmed Latencies :  
Product Speed  
CL  
2
tRCD  
tRP  
-8  
PC100  
PC100  
PC66  
2
2
2
2
3
2
-8B  
-10  
3
2
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply  
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence  
(Sequential & Interleave)  
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh  
Decoupling capacitors mounted on substrate  
All inputs, outputs are LVTTL compatible  
2
Serial Presence Detect with E PROM  
Utilizes 4M x16 SDRAMs in TSOPII-54 packages  
4096 refresh cycles every 64 ms  
133,35 mm x 29,31 mm x 4,00 mm card size with gold contact pads  
Semiconductor Group  
1
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