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HYS64D128021EBDL-6-C

更新时间: 2024-11-11 15:43:39
品牌 Logo 应用领域
奇梦达 - QIMONDA 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 1564K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200

HYS64D128021EBDL-6-C 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.56Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N200
JESD-609代码:e4内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:200
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.074 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.94 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Gold (Au)端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

HYS64D128021EBDL-6-C 数据手册

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September 2006  
HYS64D128021[E/H]BDL–5–C  
HYS64D128021[E/H]BDL–6–C  
200-Pin-Small-Outline Double-Data-Rate SDRAM  
SO-DIMM  
DDR SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.11  

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