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HYM5V72A404CTNG-70

更新时间: 2024-01-27 14:17:36
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 400K
描述
EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168

HYM5V72A404CTNG-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDMA-N168
内存密度:301989888 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX72
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYM5V72A404CTNG-70 数据手册

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