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HYM581000BLM-50

更新时间： 2024-11-28 17:57:31

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海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	54K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX8, 50ns, CMOS, SIMM-30

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HYM581000BLM-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N30
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SIM30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	12.7 mm
最大待机电流：	0.0004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM581000BLM-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30
HYM581000BLM-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
HYM581000BM-50	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 50ns, CMOS, SIMM-30
HYM581000BM-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30
HYM581000BM-70	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM Module
HYM581000CLM-60	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM Module
HYM581000CLM-70	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM Module
HYM581000CLM-80	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM Module
HYM581000CM-60	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM Module
HYM581000CM-70	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM Module