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HYM572A410ATNG-70

更新时间: 2024-11-26 05:02:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 282K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

HYM572A410ATNG-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度:36
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL

HYM572A410ATNG-70 数据手册

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