Datasheet > HYM572A410ATNG-60

HYM572A410ATNG-60

更新时间： 2024-11-26 08:11:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	282K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYM572A410ATNG-60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	36
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	301989888 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM572A410ATNG-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A414AFG-60	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414AFG-70	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414AFG-80	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414AKG-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A414AKG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A414AKG-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 80ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A414ASLFG-60	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414ASLFG-70	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414ASLFG-80	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module