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HYM572A410ASLTNG-60

更新时间： 2024-11-25 14:51:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	282K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

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HYM572A410ASLTNG-60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度：	36	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	301989888 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYM572A410ATN-50	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, CMOS, DIMM
HYM572A410ATN-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, CMOS, DIMM
HYM572A410ATN-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, CMOS, DIMM
HYM572A410ATNG-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A410ATNG-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A414AFG-60	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414AFG-70	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414AFG-80	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HYM572A414AKG-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
HYM572A414AKG-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168