是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.88 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.0046 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.213 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HYI25D512800CC-5 | QIMONDA | 暂无描述 |
获取价格 |
|
HYI25D512800CC-6 | QIMONDA | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60 |
获取价格 |
|
HYI25D512800CE-6 | QIMONDA | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 |
获取价格 |
|
HYI25D512800CT-5 | QIMONDA | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
获取价格 |
|
HYI25D512800CT-6 | QIMONDA | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
获取价格 |
|
HYI25D512800DE-5 | QIMONDA | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 |
获取价格 |