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HYI25D256160CT-6

更新时间： 2024-11-11 03:11:51

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HYI25D256160CT-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.215 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	15
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

March 2007

HYB25D256[40/80/16]0CE(L)

HYB25D256[40/80/16]0C[T/C/F]

HYI25D256[80/16]0C[C/E/F/T]

256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

DDR SDRAM

RoHS Compliant or Lead-Containing

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Rev. 2.3

12 3 4 5 6 7...39

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