是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA60,9X11,32 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | 长度: | 10.5 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64MX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA60,9X11,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.155 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYI18TC512800B2F-3.7 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC TFBGA-60 | |
HYI18TC512800B2F-3S | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC TFBGA-60 | |
HYI18TC512800B2F-5 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC TFBGA-60 | |
HYI25D256160CC-5 | QIMONDA |
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256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYI25D256160CC-6 | QIMONDA |
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256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYI25D256160CE-5 | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYI25D256160CE-6 | QIMONDA |
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256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYI25D256160CF-5 | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYI25D256160CF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYI25D256160CT-5 | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |