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HYI18TC512800B2F-25F

更新时间: 2024-11-11 21:10:15
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奇梦达 - QIMONDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 3501K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC TFBGA-60

HYI18TC512800B2F-25F 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X11,32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):400 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60长度:10.5 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA60,9X11,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:4,8最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.155 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10 mmBase Number Matches:1

HYI18TC512800B2F-25F 数据手册

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June 2008  
HYB18TC512800B2F  
HYB18TC512160B2F  
HYI18TC512800B2F  
HYI18TC512160B2F  
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
DDR2 SDRAM  
EU RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.12  

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