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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA60,9X11,32 | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 10.5 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.006 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYI18T256800BF-5 | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
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| HYI18T512160B2C-2.5 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84 |
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| HYI18T512160B2C-25F | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84 |
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| HYI18T512160B2C-3.7 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84 |
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| HYI18T512160B2C-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84 |
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| HYI18T512160B2F-25F | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84 |
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| HYI18T512160B2F-3S | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84 |
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| HYI18T512400B2C-2.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60 |
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| HYI18T512400B2C-25F | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60 |
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| HYI18T512400B2C-3.7 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60 |
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