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HYI18T256800BF-3.7

更新时间： 2024-11-11 03:43:15

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		动态存储器
页数	文件大小	规格书
71页	4102K
描述
256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

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HYI18T256800BF-3.7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	10.5 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

July 2007

HY[B/I]18T256400B[C/F](L)

HY[B/I]18T256800B[C/F](L)

HY[B/I]18T256160B[C/F](L)

256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant Products

Internet Data Sheet

Rev. 1.11

12 3 4 5 6 7...71

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYI18T256800BF-3S	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256800BF-5	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T512160B2C-2.5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84
HYI18T512160B2C-25F	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84
HYI18T512160B2C-3.7	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84
HYI18T512160B2C-5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84
HYI18T512160B2F-25F	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
HYI18T512160B2F-3S	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
HYI18T512400B2C-2.5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60
HYI18T512400B2C-25F	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60