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HYI18T256400BF-25F

更新时间: 2024-09-24 03:43:15
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
71页 4102K
描述
256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

HYI18T256400BF-25F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X11,32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):400 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60长度:10.5 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA60,9X11,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.0065 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYI18T256400BF-25F 数据手册

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July 2007  
HY[B/I]18T256400B[C/F](L)  
HY[B/I]18T256800B[C/F](L)  
HY[B/I]18T256160B[C/F](L)  
256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
DDR2 SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.11  

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