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HYI18T256160BF-25F

更新时间： 2024-11-11 03:43:15

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奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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71页	4102K
描述
256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

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HYI18T256160BF-25F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	12.5 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.0065 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

July 2007

HY[B/I]18T256400B[C/F](L)

HY[B/I]18T256800B[C/F](L)

HY[B/I]18T256160B[C/F](L)

256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant Products

Internet Data Sheet

Rev. 1.11

12 3 4 5 6 7...71

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYI18T256160BF-3	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256160BF-3.7	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256160BF-3S	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256160BF-5	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256400AC-5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60
HYI18T256400BF-2.5	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256400BF-25F	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256400BF-3	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256400BF-3.7	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T256400BF-3S	QIMONDA	获取价格	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM