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HYI18T256160AF-3S

更新时间: 2024-02-28 15:43:03
品牌 Logo 应用领域
奇梦达 - QIMONDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
63页 3578K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84

HYI18T256160AF-3S 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA84,9X15,32
针数:84Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.56Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.45 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):333 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B84长度:12.5 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:84
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA84,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.157 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
宽度:10 mmBase Number Matches:1

HYI18T256160AF-3S 数据手册

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December 2007  
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HY[B/I]18T256160A[C/F](L)  
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DDR2 SDRAM  
RoHS Compliant Products  
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Rev. 1.50  

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