是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA60,9X11,32 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.29 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 333 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 268435456 words |
字数代码: | 256000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA60,9X11,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 4,8 |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.24 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYI18T1G400C2F-3 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYI18T1G800BC-2.5 | QIMONDA |
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1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BC-2.5F | QIMONDA |
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1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BC-3 | QIMONDA |
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1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BC-3.7 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BC-3S | QIMONDA |
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1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BC-5 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BF-2.5 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BF-2.5F | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM | |
HYI18T1G800BF-3 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |