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HYI18T1G400C2C-3

更新时间: 2024-11-12 15:43:55
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奇梦达 - QIMONDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
68页 3853K
描述
DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60

HYI18T1G400C2C-3 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X11,32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.29Is Samacsys:N
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间:0.45 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):333 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60长度:12.5 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA60,9X11,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs最大压摆率:0.24 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HYI18T1G400C2C-3 数据手册

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January 2008  
HY[B/I]18T1G400C2[C/F]  
HY[B/I]18T1G800C2[C/F]  
HY[B/I]18T1G160C2[C/F]  
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
DDR2 SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.02  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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