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HYD0SSG0MF5-5L60E

更新时间： 2024-11-05 21:22:31

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
99页	1466K
描述
Memory Circuit, 128MX16, CMOS, PBGA160, FBGA-160

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HYD0SSG0MF5-5L60E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FBGA-160
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
其他特性：	IT ALSO CONTAINS 512MBIT(32MBIT X 16) MOBILE SDRAM OPERATES AT 1.8V NOM SUPPLY	JESD-30 代码：	S-PBGA-B160
长度：	15 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	160
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	128MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

512MBit MOBILE DDR SDRAMs & 2GBit NAND Flash

MCP Specification of

2G (128Mx16bit) Nand FLASH Memory and

512M (32Mx16bit) Mobile SDRAM

Multi-Chip Package

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Aug. 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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