是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.166 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25L128160AC | INFINEON |
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128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES | |
HYB25L128160AC-7.5 | INFINEON |
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BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM | |
HYB25L128160AC-75 | INFINEON |
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128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES | |
HYB25L128160AC-8 | INFINEON |
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128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES | |
HYB25L128800AC-7.5 | INFINEON |
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Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, FBGA-54 | |
HYB25L128800AC-8 | INFINEON |
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Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, FBGA-54 | |
HYB25L256160AC | INFINEON |
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256-Mbit Mobile-RAM | |
HYB25L256160AC | QIMONDA |
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256-MBit Mobile-RAM | |
HYB25L256160AC-7.5 | QIMONDA |
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256-MBit Mobile-RAM | |
HYB25L256160AC-7.5 | INFINEON |
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BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |