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HYB25DC512800CF-5

更新时间: 2024-11-25 04:35:35
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
35页 1891K
描述
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

HYB25DC512800CF-5 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.73Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60长度:12 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA60,9X12,40/32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.6 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.0046 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.23 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYB25DC512800CF-5 数据手册

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December 2006  
HYB25DC512800C[E/F]  
HYB25DC512160C[E/F]  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
Green Product  
DDR SDRAM  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.3  

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