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HYB18T1G160C4F-25F

更新时间： 2024-11-24 14:33:55

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
58页	1898K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84

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HYB18T1G160C4F-25F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	12.5 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.007 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.185 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

November 2008

HYB18T1G400C4F

HYB18T1G800C4F

HYB18T1G160C4F

1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

EU RoHS Compliant Products

Internet Data Sheet

Rev. 1.01

12 3 4 5 6 7...58

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB18T1G160C4F-3S	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
HYB18T1G160CFL-3S	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
HYB18T1G160TC-3	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-37	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-5	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-6	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-7	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-75	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-7F	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18T1G160TC-8	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM