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HYB18T1G160C2C-3.7

更新时间: 2024-11-24 20:57:31
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奇梦达 - QIMONDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
70页 3996K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, PLASTIC, TFBGA-84

HYB18T1G160C2C-3.7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA84,9X15,32
针数:84Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.8访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):266 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B84
长度:12.5 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:84
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:64MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA84,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):225电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:4,8最大待机电流:0.013 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.284 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HYB18T1G160C2C-3.7 数据手册

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August 2008  
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