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HYB18T1G160BFL-5

更新时间: 2024-11-24 05:37:47
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
70页 3842K
描述
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

HYB18T1G160BFL-5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA84,9X15,32
针数:84Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.74访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B84
长度:17 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:84
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:64MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA84,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:4,8最大待机电流:0.012 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.265 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYB18T1G160BFL-5 数据手册

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May 2007  
HY[B/I]18T1G400B[F/C](L)  
HY[B/I]18T1G800B[F/C](L)  
HY[B/I]18T1G160B[F/C](L)  
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
DDR2 SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.2  

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