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HYB18T1G160AF-3

更新时间: 2024-11-24 05:37:07
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英飞凌 - INFINEON 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
89页 1693K
描述
1 Gbit DDR2 SDRAM

HYB18T1G160AF-3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DSBGA
包装说明:FBGA,针数:92
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.74
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间:0.45 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B92
长度:20 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:92字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:95 °C最低工作温度:
组织:64MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10 mmBase Number Matches:1

HYB18T1G160AF-3 数据手册

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Data Sheet, V1.02, May 2004  
HYB18T1G400AF  
HYB18T1G800AF  
HYB18T1G160AF  
1 Gbit DDR2 SDRAM  
Memory Products  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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