Datasheet > 存储 > DRAM> HYB18L256160BCX-7.5

HYB18L256160BCX-7.5

更新时间： 2024-02-29 18:45:48

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
48页	1590K
描述
DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYB18L256160BCX-7.5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
长度：	12 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

January 2007

HYB18L256160BCX-7.5

HYB18L256160BFX-7.5

HYE18L256160BCX-7.5

HYE18L256160BFX-7.5

DRAMs for Mobile Applications

256-Mbit Mobile-RAM

Mobile-RAM

Data Sheet

Rev. 1.11

12 3 4 5 6 7...48

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYB18L256160BF	INFINEON	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18L256160BF-7.5	INFINEON	BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM	获取价格
HYB18L256160BF-7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM	获取价格
HYB18L256160BF-75	INFINEON	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18L256160BFL-7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM	获取价格
HYB18L256160BFX-7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM	获取价格