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HYB15T2G402C2F-25F

更新时间： 2024-01-18 16:04:25

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
53页	3034K
描述
DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, FBGA-63

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HYB15T2G402C2F-25F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA63,9X11,32
针数：	63	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
长度：	12.5 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	63	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	512MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA63,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.36 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.026 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.45 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8.5 mm
Base Number Matches：	1

July 2008

HYB15T2G402C2F

HYB15T2G802C2F

2-Gbit Dual Die Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

EU RoHS Compliant Products

Internet Data Sheet

Rev. 1.00

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB15T2G402C2F-3S	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 512MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, FBGA-63
HYB15T2G802C2F-2.5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, FBGA-63
HYB15T2G802C2F-25F	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, FBGA-63
HYB15T2G802C2F-3S	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA63, GREEN, PLASTIC, FBGA-63
HYB18D128160TC-3	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18D128160TC-37	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18D128160TC-5	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18D128160TC-6	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18D128160TC-7	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM
HYB18D128160TC-75	INFINEON	获取价格	MEMORY SPECTRUM