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HYB15T1G400C2F-3S

更新时间: 2024-02-20 08:13:47
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奇梦达 - QIMONDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 1885K
描述
DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-60

HYB15T1G400C2F-3S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X11,32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.84访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.45 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):333 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:12.5 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:256MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA60,9X11,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs最大压摆率:0.24 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.45 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HYB15T1G400C2F-3S 数据手册

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August 2008  
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