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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 7 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 3.1 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.1 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 19.1262 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY67V16101C-12 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V16101C-17 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V16101C-7 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V16110C-20 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V16110C-25 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V16110C-30 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V16111C-20 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| HY67V16111C-25 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
|
| HY67V16111C-30 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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| HY67V161610D | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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