5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.8,20 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e6 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62U8100BLLT1-E | HYNIX |
获取价格 |
128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
|
| HY62U8100BLLT1-E-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| HY62U8100BLLT1-I | HYNIX |
获取价格 |
128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
|
| HY62U8100BLLT1-I-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| HY62U8100BLLT1-I-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| HY62U8200B | HYNIX |
获取价格 |
256K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
|
| HY62U8200B-E | HYNIX |
获取价格 |
256K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
|
| HY62U8200B-I | HYNIX |
获取价格 |
256K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
|
| HY62U8200BLLR1-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
|
| HY62U8200BLLR1-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
