5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP32,.56 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.9 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.4978 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP32,.56 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.05 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 11.2014 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY628100ALLG | HYNIX |
获取价格 |
128Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY628100ALLG-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY628100ALLG-10I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY628100ALLG-55 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY628100ALLG-55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
|
| HY628100ALLG-70 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY628100ALLG-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
|
| HY628100ALLG-85 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY628100ALLG-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
|
| HY628100ALLP-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
