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HY62256ALLR1-70

更新时间： 2024-02-19 10:02:37
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页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
x8 SRAM

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HY62256ALLR1-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.39最长访问时间：70 ns
其他特性：BATTERY BACKUPI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1-R封装等效代码：TSSOP28,.53,22
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000015 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL宽度：8 mm
Base Number Matches：1

HY62256ALLR1-70 数据手册

 浏览型号HY62256ALLR1-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY62256ALLR1-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY62256ALLR1-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY62256ALLR1-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY62256ALLR1-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY62256ALLR1-70的Datasheet PDF文件第7页 
HY62256A Series  
32Kx8bit CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62256A is a high-speed, low power and  
32,786 x 8-bits CMOS Static Random Access  
·
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Low power consumption  
Battery backup(L/LL-part)  
- 2.0V(min.) data retention  
Standard pin configuration  
- 28 pin 600 mil PDIP  
- 28 pin 330mil SOP  
- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I  
(Standard and Reversed)  
Memory fabricated using  
Hyundai's high  
performance CMOS process technology. The  
HY62256A has a data retention mode that  
guarantees data to remain valid at the minimum  
power supply voltage of 2.0 volt. Using the CMOS  
technology, supply voltages from 2.0 to 5.5volt  
has little effect on supply current in the data  
retention mode. The HY62256A is suitable for use  
in low voltage operation and battery back-up  
application.  
·
Product  
No.  
HY62256A  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
55/70/85  
Operation  
Current(mA)  
50  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70(Normal)  
L
100  
LL  
25  
5.0  
1mA  
Note 1. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A14  
A12  
A7  
Vcc  
/WE  
A13  
A8  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
/WE  
A13  
A8  
/OE  
A11  
A9  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
Vss  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
A3  
A4  
A2  
3
1
2
28  
14  
13  
12  
11  
10  
9
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
3
A1  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A6  
4
A6  
4
A5  
A0  
3
A9  
A5  
5
A5  
A9  
5
A8  
A6  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
/CS  
A10  
4
A4  
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
6
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A4  
6
A13  
/WE  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
A7  
5
A3  
7
A3  
7
A12  
A14  
Vcc  
/WE  
A13  
A8  
6
A2  
8
A2  
7
8
8
A1  
8
7
A1  
9
9
9
6
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
5
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
A6  
4
A5  
A9  
A11  
/OE  
3
A4  
A1  
2
1
A3  
A2  
PDIP  
SOP  
TSOP-I(Standard)  
TSOP-I(Reversed)  
PIN DESCRIPTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
Pin Name  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
/CS  
/WE  
MEMORY ARRAY  
512x512  
/OE  
Output Enable  
Address Inputs  
Data Input/Output  
Power(+5.0V)  
Ground  
A0 ~ A14  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
A14  
I/O8  
/CS  
Vss  
/OE  
/WE  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /Jun.99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...9

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