生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.83 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 300 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 1.6 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.03 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.45 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY5DU283222AQ-36 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQ-4 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQ-5 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-33 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-36 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-4 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-5 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222BF | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222BF-2 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM |