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HY5DU283222AQ-33

更新时间: 2024-11-06 05:38:07
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
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51页 1682K
描述
128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222AQ-33 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.83
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):300 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:22 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:100
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.6 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.03 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.45 mA最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

HY5DU283222AQ-33 数据手册

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HY5DU283222AQ  
128M(4Mx32) GDDR SDRAM  
HY5DU283222AQ  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any re-  
sponsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.2 / Sep. 2003  
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