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HY5DU121622DTP-J

更新时间: 2024-09-23 13:00:59
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
33页 371K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

HY5DU121622DTP-J 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.8Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.22 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.01 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.35 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU121622DTP-J 数据手册

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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume  
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.0/Feb. 2003  
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