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HY57V641611TC-10

更新时间: 2024-01-14 20:45:36
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 483K
描述
x16 SDRAM

HY57V641611TC-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32针数:54
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY57V641611TC-10 数据手册

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