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HY29LV320TF-12I

更新时间： 2024-01-28 15:00:57
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 322K
描述
32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory

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HY29LV320TF-12I 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA63,8X12,32针数：63
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B63JESD-609代码：e1
长度：11 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,63
端子数量：63字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA63,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,4K,16K,32K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：7 mmBase Number Matches：1

HY29LV320TF-12I 数据手册

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HY29LV320  
32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory  
KEY FEATURES  
n Single Power Supply Operation  
n Compatible With JEDEC standards  
– Read, program and erase operations from  
2.7 to 3.6 volts  
– Ideal for battery-powered applications  
n High Performance  
– 70, 80, 90 and 120 ns access time  
versions for full voltage range operation  
n Ultra-low Power Consumption (Typical/  
Maximum Values)  
– Pinout and software compatible with  
single-power supply Flash devices  
– Superior inadvertent write protection  
n Data# Polling and Toggle Bits  
– Provide software confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
n Ready/Busy (RY/BY#) Pin  
– Automatic sleep/standby current: 0.5/5.0  
µA  
– Provides hardware confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
– Read current: 9/16 mA (@ 5 MHz)  
– Program/erase current: 20/30 mA  
n Top and Bottom Boot Block Versions  
– Provide one 8 KW, two 4 KW, one 16 KW  
and sixty-three 32 KW sectors  
n Write Protect Function (WP#/ACC pin)  
− Allows hardware protection of the first or  
last 32 KW of the array, regardless of sector  
protect status  
n Secured Sector  
n Acceleration Function (WP#/ACC pin)  
− Provides accelerated program times  
n Erase Suspend/Erase Resume  
– Suspends an erase operation to allow  
reading data from, or programming data  
to, a sector that is not being erased  
– Erase Resume can then be invoked to  
complete suspended erasure  
– An extra 128-word, factory-lockable  
sector available for an Electronic Serial  
Number and/or additional secured data  
n Sector Protection  
– Allows locking of a sector or sectors to  
prevent program or erase operations  
within that sector  
– Temporary Sector Unprotect allows  
changes in locked sectors  
n Hardware Reset Pin (RESET#) Resets the  
Device to Reading Array Data  
n Fast Program and Erase Times (typicals)  
– Sector erase time: 0.5 sec per sector  
– Chip erase time: 32 sec  
n Space Efficient Packaging  
– 48-pin TSOP and 63-ball FBGA packages  
– Word program time: 11 µs  
LOGIC DIAGRAM  
– Accelerated program time per word: 7 µs  
n Automatic Erase Algorithm Preprograms  
and Erases Any Combination of Sectors  
or the Entire Chip  
n Automatic Program Algorithm Writes and  
Verifies Data at Specified Addresses  
n Compliant With Common Flash Memory  
Interface (CFI) Specification  
21  
16  
A[20:0]  
CE#  
DQ[15:0]  
– Flash device parameters stored directly  
on the device  
– Allows software driver to identify and use a  
variety of current and future Flash products  
n Minimum 100,000 Write Cycles per Sector  
WP#/ACC  
RY/BY#  
OE#  
W E #  
RESET#  
Revision 1.3, May 2002  
1234567...44

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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