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HY29F002TC-45

更新时间： 2024-01-19 15:04:15
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 闪存
页数 文件大小 规格书
38页 381K
描述
2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory

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HY29F002TC-45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.91最长访问时间：45 ns
其他特性：MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,3端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

HY29F002TC-45 数据手册

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HY29F002T  
2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory  
KEY FEATURES  
n 5 Volt Read, Program, and Erase  
n Sector Protection  
– Minimizes system-level power requirements  
n High Performance  
– Any combination of sectors may be  
locked to prevent program or erase  
operations within those sectors  
– Access times as fast as 45 ns  
n Low Power Consumption  
– 20 mA typical active read current  
– 30 mA typical program/erase current  
– 1 µA typical CMOS standby current  
n Compatible with JEDEC Standards  
– Package, pinout and command-set  
compatible with the single-supply Flash  
device standard  
– Provides superior inadvertent write  
protection  
n Sector Erase Architecture  
– Boot sector architecture with top boot  
block location  
n Temporary Sector Unprotect  
– Allows changes in locked sectors  
(requires high voltage on RESET# pin)  
n Internal Erase Algorithm  
– Automatically erases a sector, any  
combination of sectors, or the entire chip  
n Internal Programming Algorithm  
– Automatically programs and verifies data  
at a specified address  
n Fast Program and Erase Times  
– Byte programming time: 7 µs typical  
– Sector erase time: 1.0 sec typical  
– Chip erase time: 7 sec typical  
n Data# Polling and Toggle Status Bits  
– Provide software confirmation of  
completion of program or erase  
– One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte  
and three 64K byte sectors  
– A command can erase any combination of  
sectors  
operations  
– Supports full chip erase  
n Minimum 100,000 Program/Erase Cycles  
n Space Efficient Packaging  
n Erase Suspend/Resume  
– Temporarily suspends a sector erase  
operation to allow data to be read from, or  
programmed into, any sector not being  
erased  
– Available in industry-standard 32-pin  
TSOP and PLCC packages  
GENERAL DESCRIPTION  
LOGIC DIAGRAM  
The HY29F002T is an 2 Megabit, 5 volt-only  
CMOS Flash memory organized as 262,144  
(256K) bytes. The device is offered in industry-  
standard 32-pin TSOP and PLCC packages.  
18  
8
The HY29F002T can be programmed and erased  
in-system with a single 5-volt VCC supply. Inter-  
nally generated and regulated voltages are pro-  
vided for program and erase operations, so that  
the device does not require a high voltage power  
supply to perform those functions. The device can  
also be programmed in standard EPROM pro-  
grammers. Access times as fast as 55ns over the  
full operating voltage range of 5.0 volts ± 10% are  
offered for timing compatibility with the zero wait  
state requirements of high speed microprocessors.  
A 45ns version operating over 5.0 volts ± 5% is  
also available. To eliminate bus contention, the  
A[17:0]  
RESET#  
CE#  
DQ[7:0]  
OE#  
W E#  
Revision 4.1, May 2001  
1234567...38

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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