5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 18 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 4K |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小： | 512 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 16K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HY27US16122B-TPCP | HYNIX |
功能相似  |
Flash, 32MX16, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
|
| HY27US08121B-TPIB | HYNIX |
功能相似 |
Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY27US08121B-TPCP | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
|
| HY27US08121B-TPCS | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
|
| HY27US08121B-TPIB | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
|
| HY27US08121B-TPIS | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
|
| HY27US08121M | HYNIX |
获取价格 |
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
|
| HY27US08121M-FCP | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 |
|
| HY27US08121M-FEB | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 |
|
| HY27US08121M-FEP | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 |
|
| HY27US08121M-FIP | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 |
|
| HY27US08121M-FIS | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
