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HY27US08121B-FPIB

更新时间: 2024-11-19 20:49:43
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 360K
描述
Flash, 64MX8, 18ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

HY27US08121B-FPIB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA63,10X12,32针数:63
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.83
最长访问时间:18 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B63
JESD-609代码:e1长度:11 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:4K端子数量:63
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V编程电压:3.3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
切换位:NO类型:SLC NAND TYPE
宽度:9 mmBase Number Matches:1

HY27US08121B-FPIB 数据手册

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HY27US(08/16)12(1/2)B Series  
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash  
512Mb NAND FLASH  
HY27US(08/16)12(1/2)B  
HY27US0812(1/2)B  
HY27US1612(1/2)B  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 0.5 / Jul. 2007  
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