是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 40 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | 长度: | 15.4 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 4K | 端子数量: | 48 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSSOP |
封装等效代码: | TSSOP48,.71,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 0.65 mm | 部门规模: | 8K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 切换位: | NO |
类型: | NAND TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY27SS16121A-TMS | HYNIX |
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Flash, 32MX16, 40ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 | |
HY27SS16121A-TPES | HYNIX |
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Flash, 32MX16, 40ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 | |
HY27SS16121M | HYNIX |
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512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash | |
HY27SS16121M-FC | HYNIX |
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暂无描述 | |
HY27SS16121M-FCP | HYNIX |
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Flash, 32MX16, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 | |
HY27SS16121M-FCPB | HYNIX |
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暂无描述 | |
HY27SS16121M-FES | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 12000ns, PBGA68, 15 X 8.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-68 | |
HY27SS16121M-FIS | HYNIX |
获取价格 |
暂无描述 | |
HY27SS16121M-FP | HYNIX |
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Flash, 32MX16, PBGA63 | |
HY27SS16121M-FPCB | HYNIX |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FB |