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HY27SF082G2B-TIP

更新时间: 2024-09-16 13:01:11
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 闪存
页数 文件大小 规格书
51页 381K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, PLASTIC, TSOP1-48

HY27SF082G2B-TIP 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:30 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:2K
端子数量:48字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP56,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
页面大小:2K words并行/串行:PARALLEL
电源:1.8 V编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:128K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NAND TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

HY27SF082G2B-TIP 数据手册

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HY27SF(08/16)2G2B Series  
2Gbit (256Mx8bit/128Mx16bit) NAND Flash  
2Gb NAND FLASH  
HY27SF(08/16)2G2B  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 0.3 / Feb. 2008  
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与HY27SF082G2B-TIP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY27SF082G2B-TIS HYNIX

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EEPROM Card, 256MX8, 30ns, Parallel, CMOS, PDSO48, TSOP1-48
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Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
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Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
HY27SF161G2A-TPCB HYNIX

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Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
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Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
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Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
HY27SF161G2A-TPIP HYNIX

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Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48