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HY27SF081G2M-TPIB PDF预览

HY27SF081G2M-TPIB

更新时间： 2024-11-04 22:48:27
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 闪存
页数 文件大小 规格书
48页 477K
描述
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

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HY27SF081G2M-TPIB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：30 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e6长度：18.4 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1K端子数量：48
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
切换位：NO类型：SLC NAND TYPE
宽度：12 mm

HY27SF081G2M-TPIB 数据手册

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Preliminary  
HY27UF(08/16)1G2M Series  
HY27SF(08/16)1G2M Series  
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash  
Document Title  
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision  
History  
No.  
Draft Date Remark  
0.0  
1) Initial Draft.  
Aug. 2004  
Preliminary  
1) Correct Fig.10 Sequential out cycle after read  
2) Add the text to Fig.1, Table.1, Table.2  
- text : IO15 - IO8 (x16 only)  
3) Delete ‘3.2 Page program NOTE 1.  
- Note : if possible it is better to remove this constrain  
4) Change the text ( page 10,13, 45)  
0.1  
Sep. 2004  
Preliminary  
- 2.2 Address Input : 28 Addresses -> 27 Addresses  
- 3.7 Reset : Fig.29 -> Fig.30  
- 5.1 Automatic page read after power up : Fig.30 -> Fig.29  
5) Add 5.3 Addressing for program operation & Fig.34  
1) Change TSOP, WSOP, FBGA package dimension & figures.  
- Change TSOP, WSOP, FBGA package mechanical data  
- Change FBGA thickness (1.2 -> 1.0 mm)  
2) Correct TSOP, WSOP Pin configurations.  
- 38th NC pin has been changed Lockpre(figure 3,4)  
3) Edit figure 15,19 & table 4  
0.2  
Oct. 2004  
Preliminary  
4) Add Bad Block Management  
5) Change Device Identifier 3rd Byte  
- 3rd Byte ID is changed. (reserved -> don't care)  
- 3rd Byte ID table is deleted.  
1) Add Errata  
tCLS tCLH tWP tALS tALH tDS  
tWC  
50  
tR  
25  
27  
Specification  
Relaxed value  
0
5
10  
15  
25  
40  
0
5
10  
15  
20  
25  
60  
2) LOCKPRE is changed to PRE.  
- Texts, Table, Figures are changed.  
3) Add Note.4 (table.14)  
0.3  
Nov.29 2004 Preliminary  
4) Block Lock Mechanism is deleted.  
- Texts, Table, figures are deleted.  
5) Add Application Note(Power-On/Off Sequence & Auto Sleep mode.)  
- Texts & Figures are added.  
6) Edit the figures. (#10~25)  
1) Change AC characteristics(tREH)  
before: 20ns -> after: 30ns  
0.4  
2) Edit Note.1 (page. 21)  
Jan.19 2005 Preliminary  
3) Edit the Application note 1,2  
4) Edit The Address cycle map (x8, x16)  
Rev 0.7 / Apr. 2005  
1
1234567...48

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY27SF081G2M-TPIP HYNIX

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