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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY15009000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY1500C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY1503C1 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、7.1mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品，芯片采用T |
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| HY1504D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1504U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1504V | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1506B | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1506D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1506I | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1506P | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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