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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY12PXX-D000 | HYCON |
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Quality Approval Sheet |
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| HY12PXX-L064 | HYCON |
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Quality Approval Sheet |
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| HY12PXX-W000 | HYCON |
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Quality Approval Sheet |
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| HY1300C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY1303C | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、4.2mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品，芯片采用T |
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| HY1306D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1306U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1306V | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1310D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1310U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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